中国上海，2025 年9月9日 — Nexperia 每年增加 800 多种新产品类型。2024 年，仅模拟和电源管理应用便推出了超过 70 种新部件。为支持 Nexperia 产品扩展，e络盟紧跟其不断扩大的产品组合，扩充了自身的库存产品型号范围，以便更精准的服务全球工程师。

Nexperia 提供离散元件、功率元件和逻辑集成电路，在质量和可靠性方面享有盛誉，并大笔投资制造业。比如在德国汉堡工厂投资 2 亿美元研发 SiC 和 GaN 技术。目前，这项投资已初见成效，其产品组合迅速增长，涵盖功率 MOSFET、宽带间隙半导体、IGBT 以及模拟和电源管理集成电路。

Nexperia 每年增加 800多种新产品类型。2024 年，仅模拟和电源管理应用便推出了超过 70 种新部件。

这些制造方面的进步和新产品的推出彰显出 Nexperia 在努力践行提升生产能力和满足未来需求的承诺；e络盟扩充新增 Nexperia 电源产品库存的行动也体现出 e络盟努力满足客户需求的决心。

e络盟无源元件和半导体全球产品类别总监 Jose Lok 表示：“尖端电源产品的重要性不言而喻，Nexperia 提供的一些优质产品已覆盖汽车、工业、便携式及可穿戴应用领域。我们共同努力确保开发人员能够在需要时精准获得所需元件。目前，e络盟已在美洲、欧洲、中东和非洲以及亚太地区全面铺开 Nexperia 库存，随时为全球工程师提供坚实支持。”

e络盟推出的新品系列包括：

l  功率 MOSFET – 汽车认证功率 MOSFET、小信号 MOSFET 以及专用 MOSFET（电压范围为 20V 至 100V）。这些器件采用铜夹片封装技术（LFPAK、CCPAK）和微型引线封装 (MLPAK)，提供卓越的开关性能和可靠性。

l  H 系列（高速）和 M 系列（电动机驱动）650V IGBT 分立器件展现出出色的耐用性与高可靠性，同时可提升逆变器功率密度，适用于中高压工业领域。

l  SiC 二极管具有不受温度影响的电容关闭和零恢复开关特性，以及出色的品质因数 (Qc x VF)。

l  SiC MOSFET 提供出色的 RDSon 温度稳定性、快速开关速度和高短路耐受能力，适用于高功率和高电压工业应用。

l  低压增强型 GaN FET、650 V 增强型 GaN FET、40 V 双向 GaN FET 和 650 V 共源共栅 GaN FET，旨在通过降低低功率或高功率转换应用中的传导和开关损耗来提高功率密度。

l  功率整流器可以提供高功率密度，同时还能减少反向恢复时间和功率损耗。

Nexperia 分销事业部高级企业客户经理 Kinga Czutro 表示：“我们为电源产品在广泛应用中的出色表现感到自豪。e络盟的及时供货与专业支持，是助力工程师快速且可靠地实现设计落地的重要保障。这种合作关系充分体现了双方的共同愿景。”

Nexperia 的新款电源产品系列现在可通过 Farnell（欧洲、中东和非洲地区）、Newark（北美）和 e络盟（亚太地区）订购并发货。