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东芝推出采用可降低开关损耗的4引脚封装的用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET
发布时间:2023-08-31 23:10:55 · 赵法彬

2023年8月31日,东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET——“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品于今日开始批量出货。

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新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。


使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。


东芝将继续扩大自身产品线,进一步契合市场趋势,并助力用户提高设备效率,扩大功率容量。


使用新型SiC MOSFET的3相逆变器

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使用SiC MOSFET的3相逆变器

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简易方框图


Ø 应用:


- 开关电源(服务器、数据中心、通信设备等)

- 电动汽车充电站

- 光伏变频器

- 不间断电源(UPS)


Ø 特性:


- 4引脚TO-247-4L(X)封装:

栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,可降低开关损耗

- 第3代碳化硅MOSFET

- 低漏源导通电阻×栅漏电荷

- 低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)


Ø 主要规格:

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注:

[1] 截至2023年8月

[2] 截至2023年8月,东芝测量值(测量条件:VDD=800V、VGG=+18V/0V、ID=20A、RG=4.7Ω、L=100μH、Ta=25℃)

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