美国宾夕法尼亚州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。

SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重大突破，在硅功率器件中实现了前所未有的性能与效率提升。该架构突破了硅材料在导通与开关方面的物理瓶颈，将n型导电区域扩大至高达95%，并将开关损耗较竞争产品降低高达2.1倍。

该结构不仅改善了器件的电阻与功率损耗，同时保留了硅材料的诸多优势，包括高强度、量产能力强以及在175°C结温下的可靠性。

iDEAL首款150V MOSFET产品——iS15M7R1S1C，为一款典型导通电阻为6.4mΩ的器件，现已可通过5 x 6 mm的PDFN封装交付。该表贴封装采用外露引脚设计，便于客户装配并提升板级可靠性。

200V产品系列包含iS20M6R1S1T，一款典型导通电阻为6.1mΩ的MOSFET，采用11.5 x 9.7 mm的TOLL封装。其RDS(on)比目前的业界领先产品低10%，比第二梯队竞争产品低36%。公司目前还提供TOLL、TO-220、D2PAK-7L与PDFN等封装形式的200V样品。

250V、300V与400V MOSFET平台即将推出——这些电压等级在当前主流半导体技术中仍处于服务不足状态。iDEAL的新一代器件将提供远低于现有方案的导通电阻，释放全新的效率与性能潜力。

iDEAL Semiconductor联合创始人兼首席执行官Mark Granahan表示：“在过去的25年里，业界依赖于如Superjunction这类的‘减表电场（RESURF）’技术，但这类架构的性能已经趋于瓶颈。若要实现电源传输与效率的跃升，就必须引入新的架构——这正是SuperQ的使命。”

“对高性能电源解决方案的需求从未如此强烈。SuperQ将推动包括工业自动化、AI数据中心以及全球电气化趋势等关键新兴应用的发展。今天，iDEAL为设计工程师提供了前所未有的150V至400V成本×性能比平台。”

该技术可应用于MOSFET、IGBT、二极管、电源IC，甚至未来的半导体材料，使SuperQ有望成为下一代电力电子的基础性平台。

iDEAL的硅基功率器件由美国本土研发、设计并制造，提供广泛的行业标准、即插即用型封装，包括TO-220、ITO-220、TO-247、D2PAK-3L、D2PAK-7L、DPAK、TOLL、TOLT及PDFN 5x6等。产品覆盖丰富的电压等级与应用领域。

注：Superjunction（又称RESURF）架构最早于1978年提出，相关专利于1984年申请，首款商用器件于1998年发布。